报告名称: 深度剖析HBM千亿蓝海，AI算力激战下供需新格局

报告类型: 行业报告

报告日期: 20250821

研究员: 唐泓翼,周安琪

行业: 电子

投资评级：强于大市(维持)

【内容摘要】

一、HBM复盘：打破AI算力传统内存墙瓶颈，3D堆叠DRAM的16年崛起之路
● HBM复盘 ：从HBM1到HBM3E(容量1GB→36GB/带宽128GB/s→1.2TB/s)，“内存墙”的突破之路
二、HBM需求：CSP(云服务提供商)资本开支撬动 AI 服务器放量+配置升级，推动HBM需求高增
●一张图拆解HBM需求：CSP(云服务提供商)资本开支加码，AI服务器量增&HBM配置升级，共推需求高增
● HBM市场爆发：AI服务器拉动下，AI服务器拉动下，预计25年/26年HBM总位元需求量同比增速分别达+89%/+67%
● HBM下游应用场景：25年AI服务器出货占比将升至15%以上，未来两年AI服务器出货量CAGR~17%
● HBM下游需求格局：2025年NVIDIA GPU消耗HBM超五成，预测2026年ASIC需求或同比激增50%以上
● HBM配置需求：英伟达主流GPU配置采用HBM3E，下一代Rubin架构GPU或推高HBM4应用颗数
三、HBM供给：原厂坚定加速HBM产能扩张节奏，产线代际升级势在必行
●一张图拆解HBM供给——原厂持续加速HBM扩产节奏，HBM产线往更高端代际升级
● HBM厂商竞争格局：SK海力士/三星/美光三家垄断，25年/26年HBM市占率比例预计从5:3:2调整为5:2:3
● HBM代际竞争格局：当前主流HBM3E 25年占比有望超95%，预计HBM4代际将于26H2接棒市场主流
● HBM供给端产能： SK海力士&美光25年产能均售罄，预计25年/26年HBM总位元供给量同比+84%/+47%
● HBM产能展望：三大原厂发力积极扩产，测算25年/26年原厂HBM TSV月产能或有望至39万片/48万片
四、HBM供需及价格研判：供给相对充足，需求高增与高端迭代催化价格上行
● HBM供需研判：测算2025-2026年HBM S/D Ratio将分别达45%/27%，供需差距缺口有望进一步缩小
● HBM价格研判：预计25年/26年HBM ASP将达1.76/1.84美元/Gb，高端产品迭代助推未来价格上行
五、HBM未来演进：HBM4 16Hi或26年落地，散热/键合等技术升级适配未来需求
● HBM当前进展：2025年原厂HBM3E 12Hi已量产并成为主流，下一代HBM4 16Hi或有望26年实现
● HBM未来路线：HBM4→HBM8迭代，随？I/O数/堆叠层数/单层容量升级向混合键合等技术演进
六、AI 时代存储趋势：AI应用落地推升存储需求，NAND/DRAM价格或延续上涨
● DRAM行业供需跟踪：预计2025年DRAM位元供需比达97.9%，价格有望上涨
● NAND Flash行业供需跟踪：预计2025年NAND Flash位元供需比达98.3%，价格有望上涨
●行业下游需求：AI时代数据量激增，AI 手机/AI PC/AI服务器应用落地推动存储需求提升
●行业价格展望：预估25Q3季度DRAM/NAND Flash合约价季涨幅分别为15~20%/5~10%，延续上涨态势
七、投资建议及风险提示：
● HBM动态：英伟达新一代Rubin Ultra平台驱动HBM4E需求，SK海力士宣布HBM4E和台积电展开合作
● AI大算力浪湖催生新动能，芯片国产替代坚定推进，重点关注AI产业链相关公司及“龙头低估”&“困境反转”企业。
国产AI存力产业链：供给端减产及AI相关需求强劲，推动存储价格继续上涨，TrendForce预计25Q3 DRAM合约价环比提升5%~10%，NAND合约价环比提升5%~10%。同时，国内云计算与互联网厂商资本开支增长，国产替代趋势不改，重点关注江波龙(大容量存储龙头)、澜起科技(存储接口芯片龙头)、联瑞新材(HBM关键填料)等。
●风险提示：AI落地需求低于预期风险；地缘政治风险；行业竞争加剧风险；技术进展不及预期等。
附录一：HBM产业链
附录二：中国存储企业整装待发