长城证券*通信*行业深度报告*数据中心业务驱动,硅光子行业进入爆发前期——光通信行业深度报告
作者: 来源: 日期:2016-11-29 字号【

数据中心流量增速推动数据中心内部芯片层面光进铜退:目前数据中心以40G、100G模块为主,思科数据显示2020年数据中心流量将达当前5倍,需求推动数据中心向200G、400G等更高速传输演进。铜电路50Gb/s已接近传输极限,芯片层面光进铜退是必然。相比III-V族材料,硅光子技术利用CMOS工艺,有成本优势,未来非常有前景。

行业发展难点逐渐被攻破,未来两年可能迎来爆发:硅基激光器方面,III-V族材料与硅光电路混合集成的产品已商用,纯硅激光器已有实验室突破;此外,阻碍短距离光取代电的功耗问题IBM初步解决;两者为硅光子技术商用奠定基础。我们看好行业发展,目前已初露端倪,Acacia 2016Q3营收达1.35亿美元,SiFotonics 硅光PD/APD 芯片已累计出货近100 万颗,Intel 8月宣布100G硅光子模组正式投入商用,行业未来两年将大概率迎来爆发。YOLE预测,2018年全球光芯片及其封装器件市场将达到1.2亿美金,2024年将超7亿美元,年复合增长率38%。

产业电子属性越强,存在下游客户切入研发制造过程的趋势:硅光子技术涉及“设计-制造-封装”等生产环节,目前整个产业还没有形成稳定的竞争格局,芯片和封装都是核心环节,在更大的产量和更高的传输需求下硅光子技术优势更明显。产业半导体属性越来越强,电子大厂Intel、IBM、思科、意法半导体、NEC、华为海思的投入将决定行业发展速度。存在下游客户切入中上游制造过程的趋势,华为、Facebook、Ciena等也加入行业竞争。

投资建议:硅光子技术国内仍在发展初期,未来光通信厂商和半导体厂商都有可能随着行业爆发获益。建议关注光器件厂商光迅科技、中际装备(拟收购苏州旭创)等;半导体厂商中芯国际、长电科技、通富微电等。

风险提示:硅光子技术研发进度不及预期,在与III族竞争中败北的风险;IDC业务发展不及预期的风险。

 

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